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NTMD3P03R2	文件：147.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2	文件：116.48 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2_06	文件：147.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2_13	文件：116.48 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2G	文件：147.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2G	文件：1.33481 Mbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTMD3P03R2G	文件：116.48 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2G	文件：1.05873 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTMD4102PR2	文件：47.94 Kbytes Page：4 Pages	Trench Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD4184PF	文件：103.77 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode -30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2 A, Schottky Barrier Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
NTM
功能描述：
电源变压器 TRANSFRMER MIC INPUT PCB VERT
1：
1 RATIO
RoHS：
否
制造商：
Triad Magnetics
功率额定值：
12 VA
初级电压额定值：
115 V/230 V
次级电压额定值：
12 V/24 V
安装风格：
SMD/SMT
一次绕组：
Dual Primary Winding
二次绕组：
Dual Secondary Winding
长度：
2.5 in
宽度：
2 in
高度：
1.062 in

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