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NTMFS4C01NT1G

Single N-Channel Field Effect Transistor

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

文件:124.06 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVMFS4C01NT1G

Power MOSFET

文件:84.18 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C302NT1G

ON
SO-8 FL

ON

NTMFS5C426NT1G

ON
SO-8FL

ON

NTMFS5C612NLT1G

ON
DFN-5

ON

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更多NTMFS4C01NT1G供应商 更新时间2025-10-5 16:12:00