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NTMFS4D0N04XMT1G

丝印:4D0N4;Package:DFN5;MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL

Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Small Footprint (5 x 6 mm) with Compact Design • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • Motor Drive • Battery Protection • Synchronous Recti

文件:138.53 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

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更多4D0N4供应商 更新时间2026-1-17 13:16:00