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NTMFS4C13NT1G	文件：181.55 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 38 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •CPUPowerDelivery •DC−DCConverters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTMFS4C13NT1G

文件：181.55 Kbytes

Page：8 Pages

MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 38 A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •CPUPowerDelivery •DC−DCConverters

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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NTMFS4C13NT1G

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Power MOSFET 30 V, 38 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

ONSEMION Semiconductor

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详细参数

型号：
NTMFS4C13NT1G
功能描述：
MOSFET T6 LC SO8FL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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