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NTD20P06LG

丝印:T20P06LG;Package:TO-252;Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件:119.94 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06LG

丝印:T20P06LG;Package:TO-252;Power MOSFET

文件:93.13 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD20P06LG

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:985.58 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTDV20P06L

Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK

文件:156.59 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTDV20P06L

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -15.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 150mΩ(Max)@VGS= -5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:298.27 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SK20P06

MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

文件:1.07798 Mbytes 页数:6 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTD20P06LG

  • 功能描述:

    MOSFET -60V -15.5A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTD20P06LG供应商 更新时间2026-2-4 14:00:00