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NTD24N06T4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON)

文件:763.28 Kbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

NTD24N06T4G

Power MOSFET 60 V, 24 A, N-Channel DPAK

文件:125.72 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD24N06T4G

Power MOSFET 60 Volt, 24 Amp

文件:86.72 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD24N06T4G

Power MOSFET 60 Volt, 24 Amp N?묬hannel DPAK

文件:75.09 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD24N06T4G

Power MOSFET

文件:126.24 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD24N06T4G

  • 功能描述:

    MOSFET 24V 60A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTD24N06T4G供应商 更新时间2026-2-4 21:09:00