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NTD25P03LT4G	文件：234.31 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, Logic Level, DPAK -25 A, -30 V Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The sourceïtoïdrain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode. Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu 文件：234.31 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD25P03LT4G	文件：679.5 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -30V, ID= -20A RDS(ON) 文件：679.5 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
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