选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
onsemi(安森美)TO-252 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美TO-252 |
28 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
|
ONSEMISMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ONTO-252 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
ON原装正品TO-252 |
8113 |
22+ |
|
原装正品现货假一罚十 |
||
|
深圳航星空电子技术有限公司2年
留言
|
ONTO-252 |
15000 |
22+ |
只做原装 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
35700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
ON-安森美TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
iscDPAK,IPAK |
2700 |
2024 |
|
国产品牌isc,可替代原装 |
||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
onsemiDPAK |
30000 |
24+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
ON(安森美)标准封装 |
22048 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
|
深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
|
ONTO-252 |
54080 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
|||
|
中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
|
ON原TO-252 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
ON22+ |
10000 |
TO-252 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
|
深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
|
ON/安森美货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-252 |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
ON/安森美TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
|
ON/安森美TO-252 |
40256 |
22+ |
本公司只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
onsemi(安森美)TO252 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
ON(安森美)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
|
ONTO-252 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
NTDV20P06L采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTDV20P06L图片
NTDV20P06LT4G价格
NTDV20P06LT4G价格:¥2.5322品牌:ON
生产厂家品牌为ON的NTDV20P06LT4G多少钱,想知道NTDV20P06LT4G价格是多少?参考价:¥2.5322。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTDV20P06LT4G批发价格及采购报价,NTDV20P06LT4G销售排行榜及行情走势,NTDV20P06LT4G报价。
NTDV20P06LT4G-VF01资讯
NTDV20P06LT4G-VF01 P沟道MOSFET
NTDV20P06LT4G-VF01
NTDV20P06LT4G-VF01中文资料Alldatasheet PDF
更多NTDV20P06LT4G功能描述:MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件