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NTDV20P06L	文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV20P06LT4G	文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV20P06LT4G	文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV20P06LT4G	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV20P06LT4G	文件：987.87 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTDV20P06LT4G-VF01	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SK20P06	文件：1.07798 Mbytes Page：6 Pages	MOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
T20P06L	文件：990.05 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T20P06LG	文件：990.01 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TS20P06G	文件：206.9 Kbytes Page：4 Pages	20A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P06G	文件：244.97 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P06G	文件：139.27 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P06G	文件：223.89 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS20P06G	文件：50.27 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES -Glasspassivatedjunction -Idealforprintedcircuitboard -TypicalIRlessthan0.1μA -Highsurgecurrentcapability -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21defini	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
NTDV20P06L
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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