NTDV20P06LT4G-VF01
规格信息：
FET类型：P沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：15.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：26nC@5V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1190pF@25V
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：150毫欧@7.5A，5V
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：DPAK
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
NTDV20P06LT4G-VF01 P沟道MOSFET,全新原装当天发货或门市自取，量大价优，电子元器件BOM表一站式配单配套,稳定供应,因产品过多原因我们未对一.一产品进行参数描述，如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购买请联系我们的工作人员.
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6灯
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