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NTD24N06LT4G	文件：413 Kbytes Page：6 Pages	丝印：24N06L；Package：TO-252；TrenchFET® Power MOSFET TrenchFET® Power MOSFET 175 °C Junction Temperature PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V) RDS(ON) 25m (VGS =10V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V) 文件：413 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD24N06LT4G	文件：764.16 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：764.16 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NTD24N06LT4G	文件：432.93 Kbytes Page：6 Pages	丝印：24N06L；Package：TO-252；Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2Tab) DPAK T/R FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V) RDS(ON) 文件：432.93 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
NTD24N06LT4G	文件：87.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N?묬hannel DPAK 文件：87.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD24N06LT4G	文件：122.02 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：122.02 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD24N06LT4G	文件：897.13 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：897.13 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多NTD24N06LT4G供应商更新时间2026-1-31 17:00:00