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NTD24N06

丝印:24N06L;Package:TO-252;TrenchFET® Power MOSFET

TrenchFET® Power MOSFET 175 °C Junction Temperature PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V)  RDS(ON) 25m (VGS =10V)  RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)

文件:413 Kbytes 页数:6 Pages

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

NTD24N06LT4G

丝印:24N06L;Package:TO-252;TrenchFET® Power MOSFET

TrenchFET® Power MOSFET 175 °C Junction Temperature PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V)  RDS(ON) 25m (VGS =10V)  RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)

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UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

NTD24N06LT4G

丝印:24N06L;Package:TO-252;Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2Tab) DPAK T/R

FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V) RDS(ON)

文件:432.93 Kbytes 页数:6 Pages

EVVOSEMI

翊欧

详细参数

  • 型号:

    24N06L

  • 功能描述:

    MOSFET 24V 60A POWER MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多24N06L供应商 更新时间2025-9-13 17:00:00