NTD24N06LT4G芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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NTD24N06	文件：413 Kbytes Page：6 Pages	丝印：24N06L；Package：TO-252；TrenchFET® Power MOSFET TrenchFET® Power MOSFET 175 °C Junction Temperature PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V) RDS(ON) 25m (VGS =10V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V) 文件：413 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD24N06LT4G	文件：413 Kbytes Page：6 Pages	丝印：24N06L；Package：TO-252；TrenchFET® Power MOSFET TrenchFET® Power MOSFET 175 °C Junction Temperature PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V) RDS(ON) 25m (VGS =10V) RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V) 文件：413 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD24N06LT4G	文件：432.93 Kbytes Page：6 Pages	丝印：24N06L；Package：TO-252；Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2Tab) DPAK T/R FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V) RDS(ON) 文件：432.93 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

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更多24N06L供应商更新时间2025-10-31 17:00:00