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NTD18N06LT4G

Power MOSFET

MOSFET – Power, N-Channel, Logic Level, DPAK 18 A, 60 V Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • AEC Q101 Qualified − NTDV18N06L • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical

文件:92.06 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD18N06LT4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON)

文件:763.31 Kbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

NTD18N06LT4G

Power MOSFET

文件:79.98 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD18N06LT4G

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件:897.28 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD18N06LT4G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 18A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD18N06LT4G供应商 更新时间2026-1-30 22:50:00