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NTD12N10T4

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK

文件:77.77 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD12N10T4G

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.01002 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD12N10T4G

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK

文件:77.77 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD12N10

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 12A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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TO-252
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ON/VB全新现货NTD12N10即刻询购立享优惠#长期有排单订
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更多NTD12N10供应商 更新时间2026-1-17 18:54:00