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NTD12N10T4

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTD12N10T4G

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTD12N10T4G

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STD12N10T4G

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTD12N10T4

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 12A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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DPAK
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更多NTD12N10T4供应商 更新时间2024-5-2 16:36:00