| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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19年
留言
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ON进口原装 |
5000 |
09 |
全新 发货1-2天 |
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9年
留言
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ON/安森美 |
3200 |
2026 |
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4年
留言
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ON(安森美) |
8500 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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ON进口原装 |
7500 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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12年
留言
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ON(安森美) |
13143 |
26+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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1年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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6年
留言
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ON/安森美SOT-252 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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14年
留言
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ONTO-252 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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8年
留言
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ON/安森美SOT-252 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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16年
留言
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ON进口原装TO-252 |
8635 |
26+ |
全新原装正品,优势价格 |
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17年
留言
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8866 |
24+ |
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12年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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6年
留言
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ON/安森美DPAK |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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8年
留言
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ON/安森美TO-252 |
300 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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5年
留言
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ON/安森美DPAK-4IP |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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5年
留言
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ON(安森美)NA |
18000 |
25+ |
原装优势现货 |
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3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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1年
留言
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ON(安森美)NA |
28000 |
25+ |
原装正品,可来电咨询 |
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7年
留言
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ON(安森美)N/A |
18000 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
NTD12N10采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTD12N10图片
NTD12N10中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD12N10功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD12N10-001功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD12N10-1制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
NTD12N10-1G功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD12N10G功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD12N10T4功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD12N10T4G功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
























