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NTB125N02R	文件：306.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=24V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB125N02R	文件：68.84 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTB125N02RT4	文件：68.84 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTB125N02RT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTB125N02R
功能描述：
MOSFET 24V 125A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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