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NSVMMBD353LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBD353LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD353LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD353LT1	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD353LT1	文件：60.78 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBD353LT1	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD353LT1G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBD353LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMBD353LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

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中天科工半导体（深圳）有限公司	NSVMMBD353LT1G	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	二极管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多NSVMMBD353LT1供应商更新时间2024-6-12 14:14:00

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