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NSVMMBD354LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBD354LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD354LT1	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1	文件：60.78 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBD354LT1G	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMBD354LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
肖特基 - 1 对共阴极
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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