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NSVMMBD354LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBD354LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD354LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1	文件：60.78 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBD354LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1G	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD354LT1G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMBD354LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
肖特基 - 1 对共阴极
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

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