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NSVMMBT5087LT3G	文件：234.84 Kbytes Page：7 Pages	Low Noise Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBT5087LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT5087LT3G	文件：163.26 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseTransistorPNPSiliconRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5087LT3	文件：406.5 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseTransistor LowNoiseTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT5087LT3G	文件：237.57 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseTransistor LowNoiseTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMBT5087LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3

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