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NSVMMUN2235LT1G	文件：140.21 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.21 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMMUN2235LT1G	文件：110.66 Kbytes Page：12 Pages	NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：110.66 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMMUN2235LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN DIGITAL TRANSIST	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMMUN2235LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMUN2235LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

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