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NSVMMBT2222ATT1G	文件：124.9 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring U	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBT2222ATT1G	文件：154.12 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifier applications.TheyarehousedintheSOT−416/SC−75packagewhich isdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequiremen	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBT2222ATT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-75，SOT-416；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT2222ATT1G	文件：448.97 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT2222ATT1G	文件：109.7 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon NPNSiliconThesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoH	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT2222ATT1	文件：114.25 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222ATT1	文件：353.56 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−523packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequireme	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT2222ATT1	文件：120.84 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222ATT1G	文件：154.12 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifier applications.TheyarehousedintheSOT−416/SC−75packagewhich isdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequiremen	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222ATT1G	文件：124.9 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring U	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMBT2222ATT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416

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更多NSVMMBT2222ATT1G供应商更新时间2025-5-29 16:13:00

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