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NSVMMBT5551M3T5G	文件：82.91 Kbytes Page：5 Pages	NPN High Voltage Transistor NPNHighVoltageTransistor TheMMBT5551M3deviceisaspin−offofourpopularSOT−23three−leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposehighvoltageapplicationsandishousedintheSOT−723surfacemountpackage.Thisdeviceisidealforlow−powersurfacemountapplicationswhereboardspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBT5551M3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.06A SOT723	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSVMMBT5551M3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

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