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NSVMMBT5551M3T5G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

NSVMMBT5551M3T5G
厂商型号

NSVMMBT5551M3T5G

参数属性

NSVMMBT5551M3T5G 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

功能描述

NPN High Voltage Transistor
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

封装外壳

SOT-723

文件大小

82.91 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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NSVMMBT5551M3T5G规格书详情

NSVMMBT5551M3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的NSVMMBT5551M3T5G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

NPN High Voltage Transistor

The MMBT5551M3 device is a spin−off of our popular SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose high voltage applications and is housed in the SOT−723 surface mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.

特性 Features

• Reduces Board Space

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSVMMBT5551M3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    SOT-723

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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