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NSVMMBD352WT1G分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

NSVMMBD352WT1G
厂商型号

NSVMMBD352WT1G

参数属性

NSVMMBD352WT1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323

功能描述

Dual Schottky Barrier Diode
DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

127.59 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 23:01:00

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NSVMMBD352WT1G规格书详情

NSVMMBD352WT1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由安森美半导体公司制造生产的NSVMMBD352WT1G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits.

Features

• Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF @ 0 V

• Low Forward Voltage − 0.5 V (Typ) @ IF = 10 mA

• AEC Qualified and PPAP Capable

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSVMMBD352WT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对串联

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    10mA(DC)

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
2850
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