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NSVMMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Schottky Barrier Diode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@0V •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •AECQualifiedandPPAPCapable •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBD352WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352WT1	文件：70.95 Kbytes Page：4 Pages	DualShottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage−0.5Volts(Typ)@IF=10mA •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	DualSchottkyBarrierDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@0V •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •AECQualifiedandPPAPCapable •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	DualSchottkyBarrierDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMMBD352WT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
管件
二极管配置：
1 对串联
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
10mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 7V SOT323

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