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NSVMMBT5551M3T5G中文资料NPN High Voltage Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NSVMMBT5551M3T5G |
| 参数属性 | NSVMMBT5551M3T5G 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 160V 0.06A SOT723 |
| 功能描述 | NPN High Voltage Transistor |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 9:18:00 |
| 人工找货 | NSVMMBT5551M3T5G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSVMMBT5551M3T5G规格书详情
简介
NSVMMBT5551M3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的NSVMMBT5551M3T5G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
NSVMMBT5551M3T5G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
SOT-723
- 描述：
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-723 |
60000 |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
SOT-723 |
55740 |
询价 | |||
ON |
24+ |
SOT-723 |
8000 |
只做原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
64000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1549+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 |
