首页>NSVMMBD353LT1G>规格书详情
NSVMMBD353LT1G中文资料Dual Hot Carrier Mixer Diodes数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NSVMMBD353LT1G |
| 参数属性 | NSVMMBD353LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:18:00 |
| 人工找货 | NSVMMBD353LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSVMMBD353LT1G规格书详情
简介
NSVMMBD353LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的NSVMMBD353LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号：
NSVMMBD353LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
管件
- 二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
SOT-723 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
SOT233 (TO236) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
SOT-23-3 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
SOT-23-3 |
55740 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT233 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
onsemi |
/ROHS.original |
NA |
10501 |
射频元件二极管-正纳电子/ 原材料及元器件 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23-3 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
36621 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
