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NSVJ3557SA3中文资料N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NSVJ3557SA3

参数属性

NSVJ3557SA3 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3

功能描述

N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS
JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 10:36:00

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NSVJ3557SA3规格书详情

描述 Description

The NSVJ3557SA3 is a Single N-Channel Junction FET featuring Low Noise Amplification (LNA) suitable for automotive antenna applications. This device features high forward transfer admittance with low noise characteristics and provides high ESD immunity in comparison to current JFETs. This device is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, making it suitable for automotive applications.

特性 Features

• Pb-Free and RoHS compliance
• Environmental Consideration
• Small Package : 2.9 x 2.5 x 1.1 mm
• This Small Package Enables Sets to be Smaller and Thinner
• Large forward transfer admittance and low noise figure
• Enabling the reception of radio waves in the small
• High power dissipation
• Easy to design because of the voltage margin
• Small Ciss
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

应用 Application

• AM Tuner RF Amplifier
• Low Noise Amplifier
• Audio System for Automotive

简介

NSVJ3557SA3属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的NSVJ3557SA3晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSVJ3557SA3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • IDSS Min (µA)

    :10000

  • IDSS Max (µA)

    :32000

  • V(BR)GSS Min (V)

    :15

  • Ciss Max (pF)

    :10

  • Crss Max (pF)

    :2.9

  • Package Type

    :SC-59-3/CP-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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