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NSVJ3910SB3数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF

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厂商型号

NSVJ3910SB3

参数属性

NSVJ3910SB3 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH

功能描述

N 沟道 JFET,-25 V,20 至 40 mA,40 mS
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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NSVJ3910SB3规格书详情

描述 Description

The NSVJ3910SB3 is a Single N-Channel Junction FET featuring Low Noise Amplification (LNA) suitable for automotive antenna applications. This device features high forward transfer admittance with low noise characteristics and provides high ESD immunity in comparison to current JFETs. This device is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, making it suitable for automotive applications.

特性 Features

• High Forward Transfer Admittance
• Enabling the Reception of Radio Waves in the Small
• High Breakdown Voltage
• Easy to Design
• Pb-Free and RoHS compliance
• Environmental Consideration
• Low Input Capacitance
• High Gain
• Small Package CPH3 (2.9 mm x 2.8 mm x 0.9 mmt)
• Small and Sim Applied Set
• Low Noise Figure
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

应用 Application

• Low Noise Amplifier
• Automotive AM Radio
• Automotive FM Radio

简介

NSVJ3910SB3属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的NSVJ3910SB3晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSVJ3910SB3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • IDSS Min (µA)

    :20000

  • IDSS Max (µA)

    :40000

  • V(BR)GSS Min (V)

    :25

  • Ciss Max (pF)

    :6

  • Crss Max (pF)

    :2.3

  • Package Type

    :CPH-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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