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NSVMMBD354LT1G数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

NSVMMBD354LT1G

参数属性

NSVMMBD354LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

功能描述

肖特基二极管与整流器 SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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NSVMMBD354LT1G规格书详情

简介

NSVMMBD354LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的NSVMMBD354LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NSVMMBD354LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对共阴极

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT233
7350
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SOT-23 (TO-236)
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订货1周 原装正品
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SOT-23-3
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