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NSVMUN2237T1G	文件：140.63 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.63 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMUN2237T1G	文件：150.05 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 22 k 文件：150.05 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMUN2237T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2237T1	文件：160.53 Kbytes Page：11 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network cons 文件：160.53 Kbytes 页数：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN2237T1	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：150.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2237T1G	文件：150.05 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 22 k 文件：150.05 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMUN2237T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59

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