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NSVMUN2237T1G	文件：140.63 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMUN2237T1G	文件：150.05 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMUN2237T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2237T1	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN2237T1	文件：160.53 Kbytes Page：11 Pages	BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MUN2237T1G	文件：137.97 Kbytes Page：11 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=22k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSVMUN2237T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.23W SC59

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