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NSVMSD1819A-RT1G	文件：63.05 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. Features • High hFE, 文件：63.05 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMSD1819A-RT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Amplifier Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMSD1819A-RT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LMSD1819A-RT1G	文件：84 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. Features • High hFE 文件：84 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LMSD1819A-RT1G	文件：89.67 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount 文件：89.67 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MSD1819A-RT1	文件：215.02 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：215.02 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NSVMSD1819A-RT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3

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