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MSD1819A-RT1	文件：101.73 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT 文件：101.73 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD1819A-RT1	文件：215.02 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：215.02 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD1819A-RT1	文件：153.09 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT 文件：153.09 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MSD1819A-RT1G	文件：63.05 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. Features • High hFE, 文件：63.05 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD1819A-RT1_10	文件：215.02 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：215.02 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD1819A-RT1G	文件：215.02 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Transistor 文件：215.02 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD1819A-RT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD1819A-RT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MSD1819A-RT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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