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NSVMMUN2133LT1G	文件：183.55 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMUN2133LT1G	文件：150.31 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 kA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMUN2133LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN2133LT1	文件：233.62 Kbytes Page：8 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2133LT1G	文件：655.27 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2133LT1G	文件：644.3 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LMUN2133LT1G	文件：169.73 Kbytes Page：9 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2133LT1	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2133LT1	文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages	PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2133LT1	文件：267.26 Kbytes Page：10 Pages	PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

产品属性

产品编号：
NSVMMUN2133LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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