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NSVMMBT589LT1G	文件：111.54 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications Features • Pb−Free Packages are Available 文件：111.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMMBT589LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVMMBT589LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT589LT1	文件：64.3 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications 文件：64.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT589LT1	文件：113.5 Kbytes Page：8 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications 30 VOLTS 2.0 AMPS PNP TRANSISTOR 文件：113.5 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT589LT1	文件：113.5 Kbytes Page：6 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications A Device of the μX™ Family 30 Volts 2.0 Amps PNP Transistor 文件：113.5 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

产品属性

产品编号：
NSVMMBT589LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

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