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NSVMMBT589LT1G	文件：111.54 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoad ManagementinPortableApplications Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBT589LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1	文件：64.3 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1	文件：113.5 Kbytes Page：8 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistor HighCurrentSurfaceMount PNPSiliconSwitchingTransistor forLoadManagement inPortableApplications 30VOLTS2.0AMPSPNPTRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1	文件：113.5 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistor HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications ADeviceoftheμX™Family 30Volts2.0AmpsPNPTransistor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT589LT1G	文件：2.70362 Mbytes Page：26 Pages	CompactIntelligentPowerModuleBasedMotorEvaluationBoardwithInterleavedPowerFactorCorrection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1G	文件：2.79432 Mbytes Page：28 Pages	CompactIntelligentPowerModule(IPM)MotorControlDevelopmentKit(MDK)1kW	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1G	文件：111.54 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitching HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoad ManagementinPortableApplications Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT589LT1G	文件：138.7 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSVMMBT589LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

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