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MMBD353LT1分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

MMBD353LT1
厂商型号

MMBD353LT1

参数属性

MMBD353LT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot Carrier Mixer Diodes
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

41.41 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
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更新时间

2025-5-29 17:56:00

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MMBD353LT1规格书详情

MMBD353LT1属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体公司制造生产的MMBD353LT1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits.

Features

•Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V

•Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA

•Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBD353LT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
SOT-23 (TO-236)
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