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MMBD353LT1分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBD353LT1 |
| 参数属性 | MMBD353LT1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
41.41 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-12 22:59:00 |
| 人工找货 | MMBD353LT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBD353LT1规格书详情
MMBD353LT1属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体制造生产的MMBD353LT1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
Dual Hot Carrier Mixer Diodes
These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits.
特性 Features
•Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V
•Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA
•Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号：
MMBD353LT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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询价 | ||
- |
24+ |
NA/ |
200 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
2988 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
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三年内 |
1983 |
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询价 | ||||
ONSEMI |
2447 |
SMD |
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ON(安森美) |
25+ |
封装 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
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