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MMBD352WT1分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

MMBD352WT1
厂商型号

MMBD352WT1

参数属性

MMBD352WT1 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

功能描述

Dual Shottky Barrier Diode
RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

70.95 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:24:00

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MMBD352WT1规格书详情

MMBD352WT1属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体公司制造生产的MMBD352WT1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits.

特性 Features

• Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF @ Zero Volts

• Low Forward Voltage − 0.5 Volts (Typ) @ IF = 10 mA

• Pb−Free Package is Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBD352WT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TSSOP
10000
原装进口只做订货 寻找优势渠道合作
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FSC
22+
SOT23
13822
进口原装
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23+
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ON
24+
SC-70-3 / SOT-323-3
25000
ON全系列可订货
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SOT-23
63000
原装正品现货
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ON/安森美
22+
SC-70
18000
原装正品
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ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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三年内
1983
只做原装正品
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