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MMBD352WT1	文件：70.95 Kbytes Page：4 Pages	Dual Shottky Barrier Diode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage−0.5Volts(Typ)@IF=10mA •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	Dual Schottky Barrier Diode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352WT1	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Schottky Barrier Diode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@0V •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •AECQualifiedandPPAPCapable •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1_05	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@0V •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •AECQualifiedandPPAPCapable •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBD352WT1
功能描述：
肖特基二极管与整流器 7V 225mW Dual
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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