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MMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Schottky Barrier Diode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@0V •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •AECQualifiedandPPAPCapable •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	DualSchottkyBarrierDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352WT1	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352WT1	文件：70.95 Kbytes Page：4 Pages	DualShottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage−0.5Volts(Typ)@IF=10mA •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@0V •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •AECQualifiedandPPAPCapable •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBD352WT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

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