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MMBD352WT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Schottky Barrier Diode These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features • Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF @ 0 V • Low Forward Voltage − 0.5 V (Typ) @ IF = 10 mA • AEC Qualified and PPAP Capable • 文件：127.59 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	Dual Schottky Barrier Diode 文件：43.18 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBD352WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多MMBD352WT1G供应商更新时间2026-1-21 22:59:00