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MMBD352WT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

MMBD352WT1G
厂商型号

MMBD352WT1G

参数属性

MMBD352WT1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

功能描述

Dual Schottky Barrier Diode
RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

43.18 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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MMBD352WT1G规格书详情

MMBD352WT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体公司制造生产的MMBD352WT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBD352WT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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