首页>MMBD352LT1G>规格书详情

MMBD352LT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

MMBD352LT1G

参数属性

MMBD352LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot Carrier Mixer Diodes
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

93.76 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-10-12 21:45:00

人工找货

MMBD352LT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MMBD352LT1G规格书详情

MMBD352LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体制造生产的MMBD352LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBD352LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT-23-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
ON/安森美
25+
SOT-23
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON/安森美
24+
NA/
30000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ON/安森美
23+
25850
新到现货,只有原装
询价
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ON/安森美
21+
SOT-23-3
8080
只做原装,质量保证
询价
ON/安森美
2407+
30098
全新原装!仓库现货,大胆开价!
询价
ON
24+
SOD
16500
只做原装正品现货 假一赔十
询价
ON
24+
SOT-23
23000
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道!
询价
ON
23+
SOD
6000
正规渠道,只有原装!
询价