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MMBD352LT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBD352LT1G |
| 参数属性 | MMBD352LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Dual Hot Carrier Mixer Diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
93.76 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-30 11:12:00 |
| 人工找货 | MMBD352LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBD352LT1G规格书详情
MMBD352LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体公司制造生产的MMBD352LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
更多- 产品编号：
MMBD352LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
托盘
- 二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ON |
19+ |
SOT-23 |
84690 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 (TO-236) |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ON |
2447 |
C0603 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
询价 |
