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MMBD352LT1G	文件：127.59 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBD352LT1G	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBD352LT1G	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBD352LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBD352LT1G_07	文件：122.87 Kbytes Page：3 Pages	Dual Hot Carrier Mixer Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBD352LT1	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBD352LT1	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MMBD352LT1	文件：93.76 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBD352LT1	文件：60.78 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉

产品属性

产品编号：
MMBD352LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
托盘
二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

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中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBD352LT1G	onsemi	23+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	二极管-分立半导体产品-原装正品	询价
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