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MMBD352LT1G

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P

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ONSEMI

安森美半导体

MMBD352LT1G

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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ONSEMI

安森美半导体

MMBD352LT1G

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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ONSEMI

安森美半导体

MMBD352LT1G_07

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

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ONSEMI

安森美半导体

MMBD352LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:托盘 类别:分立半导体产品 二极管 - 射频 描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MMBD352LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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更多MMBD352LT1G供应商 更新时间2025-10-11 23:00:00