MMBD352WT1G 分立半导体产品二极管 - 射频 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
MMBD352WT1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
10137
产品封装：
标准封装
生产批号：
24+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-7-31 14:30:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：MMBD352WT1G品牌：ON(安森美)

全新原装正品/价格优惠/质量保障

MMBD352WT1G是分立半导体产品 > 二极管 - 射频。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装标准封装/SC-70，SOT-323的MMBD352WT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。

芯片型号：
MMBD352WT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
3 页
文件大小：
127.59 kb
资料说明：
Dual Schottky Barrier Diode

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBD352WT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基 - 1 对串联
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
庄小姐
手机：
19076157814
询价：
电话：
0755-83061789
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层

MMBD352WT1G 分立半导体产品二极管 - 射频 ONSEMI/安森美半导体

MMBD352WT1G

产品属性

供应商

相关型号

相近型号