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NSVMMBTA05LT1G	文件：104.2 Kbytes Page：6 Pages	Driver Transistors DriverTransistors NPNSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVMMBTA05LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LGSOT05LT1G	文件：631.09 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LGSOT05LT1G	文件：588.09 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LGSOT05LT1G	文件：589.4 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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LMBTA05LT1G	文件：324.67 Kbytes Page：3 Pages	S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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产品属性

产品编号：
NSVMMBTA05LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NSVMMBTA05LT1G供应商更新时间2025-5-22 14:38:00

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