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NSVMMBT5087LT1G

Low Noise Transistor

ONSEMI

安森美半导体

NSVMMBT5087LT1G

Low Noise Transistor

文件:234.84 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSVMMBT5087LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

LMBT5087LT1

Low Noise Transistor

Low Noise Transistor PNP Silicon • Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish

文件:144.59 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

LMBT5087LT1G

Low Noise Transistor

Low Noise Transistor PNP Silicon • Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish

文件:144.59 Kbytes 页数:6 Pages

LRC

乐山无线电

LMBT5087LT1G

Low Noise Transistor PNP Silicon RoHS requirements.

文件:163.26 Kbytes 页数:7 Pages

LRC

乐山无线电

产品属性

  • 产品编号:

    NSVMMBT5087LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 100µA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    40MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23-3
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ON/安森美
20+
SOT-23
120000
原装正品 可含税交易
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三年内
1983
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ON
25+
SOT-23-3
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ON(安森美)
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标准封装
8000
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ON Semiconductor
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原厂原包装
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON/安森美
23+
SOT-23
89630
当天发货全新原装现货
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ON
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24+
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75000
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更多NSVMMBT5087LT1G供应商 更新时间2025-10-5 23:00:00