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NSVMSD42WT1G

High Voltage NPN Bipolar Transistor

This High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package, which is designed for low power surface mount applications. • Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable;

ONSEMI

安森美半导体

NSVMSD42WT1G

NPN High Voltage Transistors

文件:94.65 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSVMSD42WT1G

Package:SC-70,SOT-323;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

ONSEMI

安森美半导体

MSD42WT1

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors

文件:51.92 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSD42WT1

NPN GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS SURFACE MOUNT

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor This NPN Silicon Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. • Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape

文件:77.98 Kbytes 页数:4 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MSD42WT1G

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors

文件:51.92 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSVMSD42WT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 2mA,20mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 30mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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更多NSVMSD42WT1G供应商 更新时间2026-1-24 14:14:00