MSD42WT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
MSD42WT1 |
| 参数属性 | MSD42WT1 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3 |
| 功能描述 | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
| 封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 文件大小 |
51.92 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-10 10:46:00 |
| 人工找货 | MSD42WT1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
MSD42WT1规格书详情
MSD42WT1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MSD42WT1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
MSD42WT1
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 2mA,20mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 30mA,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SC-70-3(SOT323)
- 描述:
TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
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SOT-323 |
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