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MSD42SWT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MSD42SWT1G
厂商型号

MSD42SWT1G

参数属性

MSD42SWT1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

功能描述

NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor
TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

42.39 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-6 10:18:00

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MSD42SWT1G规格书详情

MSD42SWT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MSD42SWT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MSD42SWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 2mA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1mA,10V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TSSOP
10000
原装进口只做订货 寻找优势渠道合作
询价
ONSEMI/安森美
24+
SOT23
54000
郑重承诺只做原装进口现货
询价
NK/南科功率
2025+
SOT-323-3
986966
国产
询价
ON/安森美
23+
SOT-323
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ONSEMI
2025+
SC-70
55740
询价
ON(安森美)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询
询价
ON
25+
SC703EUPF
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
询价
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单
询价