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NRVBA130LT3G	文件：303.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diod 文件：303.31 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA130LT3G	文件：146.74 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：146.74 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA130LT3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA130LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA130LT3G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NRVBA130LT3G供应商更新时间2025-10-4 14:14:00